该项目聚焦第三代半导体IGBT封装用高性能覆铜氮化铝陶瓷基板及活性钎料的国产化攻关，突破了高纯活性钎料的成分创新与多形态可控制备、陶瓷/铜异质连接残余应力调控、多场耦合服役性能预测与评价等关键技术，成功开发出多形态活性钎料与高可靠性覆铜陶瓷板。项目打破国外技术垄断，产品性能达国际先进水平，已授权发明专利7件，并获得“国内首批次新材料”认定，实现向比亚迪、罗杰斯等行业龙头企业配套，有效支撑了我国功率半导体产业链的自主可控。

现代能源、交通、信息产业的快速发展，要求“血脉”材料-铜不仅具备高的导电导热能力，还同时要求高强度的特性。本项目针对以上需求，提出二维材料强化铜基体的设计理念,通过高载流子密度铜与高迁移率二维石墨烯界面传输协同,突破铜本征导电导热性能，同时石墨烯具有极佳的力学性能，能有效提升铜的强度。项目开发的特种铜基复合材料导电率达106%IACS，热导率超过430W/(m·K)，强度相比纯铜提高50%以上，可应用于新能源大电流电缆、算力用中心用散热器以及各种大功率开关电器中。